直流磁控溅射法制备ZnO：Zr透明导电薄膜及性能研究

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• 出版年：2009
• 作者：张化福；类成新；刘汉法；袁长坤
• 单位1：山东理工大学物理与光电信息技术学院
• 出生年：1977
• 学历：硕士
• 职称：讲师
• 语种：中文
• 作者关键词：ZnO：Zr薄膜；磁控溅射；薄膜厚度；透明导电薄膜
• 起始页：78
• 总页数：3
• 经费资助：山东理工大学功能材料创新团队支持计划项目（2006）
• 刊名：材料导报
• 是否内版：否
• 刊频：半月刊
• 创刊时间：1987
• 主管单位：科学技术部
• 主办单位：科学技术部西南信息中心
• 主编：张明
• 地址：重庆市渝北区洪湖西路18号
• 邮编：401121
• 电子信箱：matzhubian@gmail.com；mat-rev@163.com；matreved@163.com；maeditor@gmail.com
• 网址：http://www.mat-rev.com
• 卷：23
• 期：6
• 期刊索取号：P822.06 432
• 数据库收录：全国中文核心期刊；中国科学引文数据库来源期刊；中国科技论文统计源期刊
• 核心期刊：全国中文核心期刊

摘要

利用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO：Zr（ZZO）透明导电薄膜。研究了厚度对薄膜结构及光电性能的影响。研究结果表明，厚度对薄膜的结构和电学性能有很大的影响。制备的ZZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜，具有c轴择优取向。在厚度为593nm时，薄膜的电阻率具有最小值1.9×10^-3Ω·cm。所制备薄膜样品的可见光平均透过率都超过93%。