IGBT直接串联高压变频器分析
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  • 作者:吴加林
  • 会议时间:2009-09-01
  • 关键词:高压变频器 ; 功率器件 ; 串联模式 ; 耐压能力
  • 作者单位:佳灵电气制造有限公司,四川,成都,610043
  • 母体文献:2009年成都市科学技术年会论文集
  • 会议名称:2009年成都市科学技术年会
  • 会议地点:成都
  • 主办单位:成都市科学技术协会
  • 语种:chi
  • 分类号:U26;TP2
摘要
文章对单元串联多重化电压源型高压变频器、中性点钳位三电平PWM变频器、多电平+多重化高压变频器、电流源型高压变频器等几种高压变频器的主电路进行分析,介绍了功率器件IGBT直接串联的真正、直接高压变频器的主电路、核心关健技术和系统特点。研究表明:功率器件的耐压等级决定了高压变频器的主路结构,要想避开器件串联而要作出高压变频器,必然使线路复杂化,从而产生一系列严重的相关问题;IGBT器件的串联成功,使高压变频器同低压变频器形成相同的电路拓扑方式,因此成熟的低压变频器的一切控制策略均可用于高压变频器,特别是像低压变频器一样的控制简单是提高可靠性的关键;针对高压电机的特殊要求,而在输出电压波形和共模电压的处理上的技术措施,使IGBT直接高压变频器的各项指标大大优于低压变频器;真正的“高-高”变频器是:一体化设计,体积小,方便安装调试。IGBT直接串联高压变频器的成功,必将成为高压变频器的主流产品,为节能降耗、提高自动化水平发挥更大的作用。