中频反应磁控溅射法制备Al2O3:Ce3+发光薄膜工艺条件优化

作者：廖国进巴德纯闻立时刘斯明阎绍峰
会议时间：2007-06-16
关键词：磁控溅射 ; 三氧化二铝 ; 发光薄膜 ; 正交试验 ; 中频反应磁控溅射技术
作者单位：廖国进(东北大学,机械与自动化学院,辽宁,沈阳,110004;辽宁工学院,机械与自动化学院,辽宁,锦州,121001)巴德纯(东北大学,机械与自动化学院,辽宁,沈阳,110004)闻立时(中国科学院金属研究所,表面工程部,辽宁,沈阳,110016)刘斯明(北京航空航天大学,机械与自动化学院,北京,100083)阎绍峰(辽宁工学院,机械与自动化学院,辽宁,锦州,121001)
母体文献：真空冶金与表面工程--第八届真空冶金与表面工程学术会议论文集
会议名称：第八届真空冶金与表面工程学术会议
会议地点：沈阳
主办单位：中国真空学会
语种：chi

摘要

中频反应磁控溅射技术近年来得到了广泛地应用.采用该技术制备的Al2O3:Ce3+薄膜具有优良的蓝色发光性能.本文采用四因素四水平正交实验方法,对中频磁控溅射法制备的Al2O3:Ce3+薄膜工艺参数进行优化,得到了制备具有良好发光性能薄膜的优化条件是:掺杂浓度1.1%,溅射总压强0.4 Pa,靶基距70 mm,氧分压比9%.结果表明,中频反应磁控溅射制备的Al2O3:Ce3+具有强烈的宽带光致发光.