IGZO(InGaZnO)氧化物靶材制备及研究进展

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• 作者：刘秉宁刘孝宁张红梅
• 会议时间：2013-10-01
• 关键词：半导体材料 ; 氧化物靶材 ; 制备工艺 ; 性能表征
• 作者单位：西北稀有金属材料研究院 753000
• 母体文献：2013中国有色金属加工行业技术进步产业升级大会论文集
• 会议名称：2013中国有色金属加工行业技术进步产业升级大会
• 会议地点：苏州
• 主办单位：中国有色金属加工工业协会
• 语种：chi
• 分类号：TB3;TQ1

摘要

平面液晶显示器件中,以铟镓锌氧化物作为半导体沟道层材料制备的IGZO氧化物TFY,相比硅基TFT面板,IGZO薄膜晶体管有着迁移率高、均一性好、透明、低温制备、工艺简单等优点,IGZO-ITFT驱动的LCD/OLED面板具有高精度、低功耗与高触控性能等诸多性能优势。基于PVD技术的高性能IGZO靶材是制备氧化物半导体薄膜的关键功能材料。本文介绍了制备IGZO靶材及其粉末制备与处理、靶材形制与成型烧结、靶材成分组成、靶材物相结构与性能,IGZO靶材制备研究现状及应用发展。