硅上的石墨烯-AlGaN纳米锥阵列

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	中文刊名：BDXX 英文刊名：Semiconductor Information 出版日期：2019-02-15 出版单位：半导体信息 年：2019 期：No.214 语种：中文; 页：BDXX201901004 页数：2 CN：01 分类号：8-9

摘要

<正>挪威和德国的研究人员在硅上使用石墨烯掩模生长出了氮化铝镓(AlGaN)纳米锥阵列。发表于[A.Mazid Munshi et al,Appl.Phys.Lett.,vol113,p263102,2018]挪威CrayoNano AS公司、德国马克斯-普朗克学会光学所、德国亥姆霍兹柏林能源与材料中心、挪威科技大学(NTNU)和挪威科技工业研究院(SINTEF)的研究团队看到了该材料在紫外(UV)发光二极管,光电探测器和激光器的潜在应用价值。他们希望这种材料能够克服由晶格和热膨胀不匹配引起的缺陷的平面III族氮化物结构的问题。石墨烯可以实现准范德华外延,避免悬挂化学键引起的问题。
        

引文