单结GaAs池波段内外激光辐照损伤因素探索
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摘要
GaAs太阳池因其光转换效率高、耐高温等优越性能,成为当前能源领域的研究热点。研究GaAs太阳池的激光辐照效应与机理,可以为改进太阳池、提高其损伤阈值提供依据,对激光能量传输技术和聚光太阳池的发展都具有重要意义。本研究设计开展了在相同能量耦合强度、辐照面积和辐照时间下单结GaAs太阳池波段内(808 nm)、波段外(1.07μm)单波长以及波段内外双波长激光联合辐照效应对比实验。实验发现,在能量耦合强度为10.5 W/cm~2、辐照光斑为Ф8 mm、辐照时间为60 s的条件下,辐照前、后样品的P_(max)下降程度十分接近。通过数值模拟研究发现,在辐照过程中不同辐照方式下样品经历了相似的温度历程。基于辐照前、后致发光图像的变化,结合形貌变化、小光斑激光响应扫描测试,发现损伤区域分布与温度分布十分相似。分析认为,当温度超过约500℃时,太阳池可能会因为GaAs太阳池PN结内部缺陷增多,使载流子复合几率增大,少子寿命减少,致使太阳池等效路的并联阻减小和串联阻增大,最终导致太阳池的输出性能下降。因此可以认为,无论是波段内、外激光单独辐照,还是波段内、外双波长激光联合辐照,在该实验条件下,导致太阳池连续激光辐照损伤的最主要因素是热效应。
引文

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