硅片化学机械抛光时硅片运动形式对片内非均匀性的影响分析

作者：苏建修郭东明康仁科金洙吉李秀娟
会议时间：2004-06-16
关键词：化学机械抛光 ; 运动形式 ; 硅片内非均匀性 ; 磨粒轨迹
作者单位：大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,大连,116024
母体文献：全国生产工程第九届年会暨第四届青年科技工作者学术会议论文集
会议名称：全国生产工程第九届年会暨第四届青年科技工作者学术会议
会议地点：哈尔滨
主办单位：中国机械工程学会
语种：chi

摘要

本文分析了目前几种常见的化学机械抛光(CMP)机中抛光头与抛光垫的运动关系,针对不同的硅片运动形式,计算了磨粒在硅片表面的运动轨迹;通过对磨粒在硅片表面上的运动轨迹分布的统计分析,得出了硅片在不同运动形式下的片内材料去除非均匀性.从硅片表面材料去除非均匀性方面,对几种抛光机的运动形式进行了比较,结果表明,弧形摆动式抛光机所产生的硅片内非均匀性最小.本文的研究为CMP机床的设计和使用中选择和优化运动参数提供了理论依据.