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1.
表面处理降低GaAs
界面态密度
的研究
作者:
肖和平
;
王瑞瑞
关键词:
表面处理
;
GaAs
;
界面态密度
;
结合能
年:2019
2.
氧化后退火技术对SiO_2/4H-SiC
界面态密度
的影响
作者:
杨涛涛
;
韩军
;
林文魁
;
曾春红
;
张璇
;
孙玉华
;
张宝顺
;
鞠涛
关键词:
4H-SiC
;
MOS电容
;
C-V测试
;
界面态密度
;
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)
年:2018
3.
基于FDSOI的TFET和MOSFET总剂量效应仿真
作者:
陈治西
;
刘强
;
任青华
;
刘晨鹤
;
赵兰天
;
俞文杰
;
闵嘉华
关键词:
隧穿场效应晶体管(TFET)
;
总剂量(TID)效应
;
开关特性
;
能带结构
;
阈值电压
年:2019
4.
特征融合的核相关滤波跟踪算法
作者:
吴昭童
;
左颢睿
;
徐智勇
;
张建林
关键词:
目标跟踪
;
相关滤波
;
尺度自适应
;
颜色特征
年:2019
5.
中国科学家研制出“超级保温材料”
作者:
王珏玢
年:2019
6.
有源层厚度对InSnZnO薄膜晶体管的影响
作者:
杨浩志
;
李治玥
;
刘媛媛
;
孙珲
;
吕英波
;
刘超
关键词:
射频磁控溅射
;
ITZO薄膜
;
薄膜晶体管
;
厚度
年:2019
7.
基于磷钝化栅介质的1.2kV 4H-SiC DMOSFET
作者:
刘佳佳
;
刘英坤
;
谭永亮
;
张力江
;
崔玉兴
关键词:
4H-SiC
;
MOSFET
;
4H-SiC/SiO2界面
;
磷钝化
;
界面态密度
年:2018
8.
不同退火温度下Mo/4H-SiC肖特基接触界面特性分析
作者:
董升旭
;
白云
;
杨成樾
;
汤益丹
;
陈宏
;
田晓丽
;
刘新宇
关键词:
4H-SiC
;
肖特基接触
;
X射线光电子能谱(XPS)
;
退火温度
;
测试温度
;
界面态密度
年:2018
9.
融合通用滤波多载波的非正交多址接入技术
作者:
赵金鑫
;
万海斌
;
黎相成
;
陈海强
;
覃团发
关键词:
非正交多址接入
;
稀疏码分多址接入
;
多用户共享接入
;
图样分割多址接入
;
通用滤波多载波复用
年:2019
10.
DCIV技术提取辐照前后PDSOI器件背栅
界面态密度
作者:
王芳芳
;
曾传滨
;
李晓静
;
高林春
;
罗家俊
;
韩郑生
关键词:
直流电流电压方法
;
PDSOI器件
;
总剂量效应
;
背沟道
;
界面态
;
钴60伽马射线
年:2018
1
2
3
4
5
6
7
8
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