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1.
基于SiC基底的Y_2O_3/Al_2O_3堆栈MOS电容的特性研究
作者：
李诚瞻
;
赵艳黎
;
吴煜东
;
陈喜明
;
贾仁需
关键词：
碳化硅
;
MOS电容
;
高k介质
;
Y_2O_3/Al_2O_3堆栈
;
C-V特性
年：2019
2.
XRD的TA10钛合金热压缩变形后位错演化分析
作者：
苏娟华
;
孙浩
;
任凤章
;
陈学文
关键词：
TA10钛合金
;
热压缩
;
X射线衍射
;
位错演化
;
晶面
;
位错密度
年：2019
3.
Influence of Triangle Structure Defect on the Carrier Lifetime of the 4H-SiC Ultra-Thick Epilayer
作者：
钮应喜
;
汤晓燕
;
贾仁需
;
桑玲
;
胡继超
;
杨霏
;
吴军民
;
潘艳
;
张玉明
年：2018
4.
一种静电保护电路的版图设计研究
作者：
张登军
关键词：
集成电路设计
;
静电保护
;
版图设计
;
寄生三极管
;
静电泄放
年：2018
5.
基于低功耗增强型In_(0.25)Ga_(0.75)As沟道MOSFET器件
作者：
李海鸥
;
李跃
;
李琦
;
肖功利
;
马磊
;
丁志华
;
韦春荣
关键词：
低功耗器件
;
In组分
;
InGaAs
;
MOSFET
年：2018
6.
一种纳米级存储器芯片的ESD的物理失效分析和研究
作者：
张登军
;
逯钊琦
关键词：
静电保护
;
失效分析
;
ESD潜在损伤
;
FIB
;
EMMI
年：2018
7.
Y_2O_3/Si界面电学特性研究
作者：
王旭
;
贾仁需
;
张玉明
关键词：
Y2O3/Si界面
;
退火
;
界面态密度
;
击穿电场
年：2016
8.
中子辐照SiC及其退火行为的光致发光特性研究
作者：
黄丽
;
阮永丰
关键词：
6H-SiC
;
中子辐照
;
损伤
;
光致发光
年：2017
9.
Fabrication and characterization of the normally-off N-channel lateral 4H–SiC metal–oxide–semiconductor field-effect transistors
作者：
宋庆文
;
汤晓燕
;
何艳静
;
唐冠男
;
王悦湖
;
张艺蒙
;
郭辉
;
贾仁需
;
吕红亮
;
张义门
;
张玉明
年：2016
10.
Fabrications and characterizations of high performance 1.2 kV,3.3 kV, and 5.0 kV class 4H–SiC power SBDs
作者：
宋庆文
;
汤晓燕
;
袁昊
;
王悦湖
;
张艺蒙
;
郭辉
;
贾仁需
;
吕红亮
;
张义门
;
张玉明
年：2016
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2
3
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