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1.
基于SiC基底的Y_2O_3/Al_2O_3堆栈MOS电容的特性研究
作者:
李诚瞻
;
赵艳黎
;
吴煜东
;
陈喜明
;
贾仁需
关键词:
碳化硅
;
MOS电容
;
高k介质
;
Y_2O_3/Al_2O_3堆栈
;
C-V特性
年:2019
2.
SiO_2/4H-SiC界面氮化退火
作者:
赵艳黎
;
李诚瞻
;
陈喜明
;
王弋宇
;
申华军
关键词:
SiO2/4H-SiC
;
氮化退火
;
界面态密度
;
平带电压
;
C-V磁滞电压
;
迁移率
年:2017
3.
Near-interface oxide traps in 4H–SiC MOS structures fabricated with and without annealing in NO
作者:
孙秋杰
;
张玉明
;
宋庆文
;
汤晓燕
;
张艺蒙
;
李诚瞻
;
赵艳黎
;
张义门
年:2017
4.
4H-SiC栅氧氮化工艺优化
作者:
陈喜明
;
李诚瞻
;
赵艳黎
;
邓小川
;
张波
关键词:
4H-SiC
;
MOS电容
;
氮化工艺
;
击穿电压
;
界面态密度
年:2016
5.
Effect of NO annealing on charge traps in oxide insulator and transition layer for 4H-SiC metal–oxide–semiconductor devices
作者:
贾一凡
;
吕红亮
;
钮应喜
;
李玲
;
宋庆文
;
汤晓燕
;
李诚瞻
;
赵艳黎
;
肖莉
;
王梁永
;
唐光明
;
张义门
;
张玉明
年:2016
6.
Characterization of the effects of nitrogen and hydrogen passivation on SiO_2/4H-SiC interface by low temperature conductance measurements
作者:
王弋宇
;
彭朝阳
;
申华军
;
李诚瞻
;
吴佳
;
唐亚超
;
赵艳黎
;
陈喜明
;
刘可安
;
刘新宇
年:2016
7.
SiC器件技术特点及其在轨道交通中的应用
作者:
刘可安
;
李诚瞻
;
李彦涌
;
李华
关键词:
SiC器件
;
功率模块
;
轨道交通
;
牵引变流器
年:2016
8.
SiC高温氧化工艺开发和界面特性分析
作者:
赵艳黎
;
李诚瞻
;
蒋华平
;
许恒宇
关键词:
Si氧化工艺
;
界面态密度
;
击穿电场
;
C-V特性
;
I-V特性
年:2015
9.
Effect of post oxidation annealing in nitric oxide on interface properties of 4H-SiC/SiO_2 after high temperature oxidation
作者:
李妍月
;
邓小川
;
刘云峰
;
赵艳黎
;
李诚瞻
;
陈茜茜
;
张波
年:2015
1
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