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1.
基于SiC基底的Y_2O_3/Al_2O_3堆栈
MOS电容
的特性研究
作者：
李诚瞻
;
赵艳黎
;
吴煜东
;
陈喜明
;
贾仁需
关键词：
碳化硅
;
MOS电容
;
高k介质
;
Y_2O_3/Al_2O_3堆栈
;
C-V特性
年：2019
2.
基于FDSOI的TFET和MOSFET总剂量效应仿真
作者：
陈治西
;
刘强
;
任青华
;
刘晨鹤
;
赵兰天
;
俞文杰
;
闵嘉华
关键词：
隧穿场效应晶体管(TFET)
;
总剂量(TID)效应
;
开关特性
;
能带结构
;
阈值电压
年：2019
3.
MOS电容
型微小空间碎片探测器探头研究
作者：
郝志华
;
向宏文
;
蔡震波
;
王金延
关键词：
微小空间碎片
;
MOS电容
传感器
;
阵列式探头
年：2017
4.
《北京邮电大学学报》征稿简则
年：2019
5.
基于熵时间序列的恶意Office文档检测技术
作者：
周安民
;
户磊
;
刘露平
;
贾鹏
;
刘亮
关键词：
熵时间序列
;
功率谱
;
机器学习
;
恶意文档检测
年：2019
6.
使用
MOS电容
的循环型ADC的数字校正技术
作者：
王云鹤
;
魏志恒
关键词：
MOS电容
;
循环型模拟-数字转换器
;
校正
;
积分非线性
;
微分非线性
年：2017
7.
氧化后退火技术对SiO_2/4H-SiC界面态密度的影响
作者：
杨涛涛
;
韩军
;
林文魁
;
曾春红
;
张璇
;
孙玉华
;
张宝顺
;
鞠涛
关键词：
4H-SiC
;
MOS电容
;
C-V测试
;
界面态密度
;
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)
年：2018
8.
基于多个角度约束的距离模糊抑制方法
作者：
李健
关键词：
SAR
;
宽测绘带
;
距离模糊
;
自适应波束形成
年：2019
9.
基于漏-源电平转换的
MOS电容
放大器
作者：
易华祥
;
王德志
;
王一文
关键词：
高灵敏度接收器
;
电荷域采样
;
非线性
;
MOS电容
放大器
;
漏-源电平转换
年：2017
10.
Y_2O_3改善HfO_2高k栅介质Ge
MOS电容
的电特性及可靠性
作者：
徐火希
;
谢玉林
关键词：
Ge金属-氧化物-半导体
;
Y2O3夹层
;
界面质量
;
k值
年：2017
1
2
3
4
5
6
7
8
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