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1.
GaN基电子器件的漏电流机理与频率散射特性研究
作者：
雷勇
关键词：
GaN
;
肖特基接触
;
漏电流
;
界面态
;
频率散射
;
场板
;
栅/漏延迟
论文级别：
博士
学位年度：2013
2.
ALD淀积高k栅介质材料与器件特性研究
作者：
匡潜玮
关键词：
高k栅介质
;
原子层淀积
;
能带结构
;
漏电机制
;
频率色散
;
高场输运
论文级别：
博士
学位年度：2013
3.
栅介质的介电特性对AlGaN/GaN MISHEMTs性能影响研究
作者：
田本朗
关键词：
AlGaN/GaN
;
氧化铝
;
钠-β-氧化铝
;
铪钛氧
;
金属-半导体高电子迁移率晶体管
;
金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管
论文级别：
博士
学位年度：2013
4.
高k栅介质MOS器件的特性模拟与实验研究
作者：
马飞
关键词：
金属氧化物半导体场效应晶体管
;
高k栅介质
;
边缘感应势垒降低
;
关态漏电流
;
阈值电压
;
原子层淀积
论文级别：
博士
学位年度：2013
5.
氮化镓基HEMT器件高场退化效应与热学问题研究
作者：
杨丽媛
关键词：
AlGaN/GaN
;
HEMTs
;
高场退化
;
温度特性
;
结温/热阻
;
热设计
论文级别：
博士
学位年度：2013
6.
AlGaN/GaN HFET击穿特性分析与耐压新结构
作者：
赵子奇
关键词：
AlGaN/GaN
;
HFET
;
场板
;
电场模型
;
表面陷阱
;
击穿电压
论文级别：
博士
学位年度：2013
7.
高κ叠层栅MIS结构的实现与性能增强技术研究
作者：
樊继斌
关键词：
高κ叠栅
;
原子层物理淀积
;
价带带阶
;
漏电机制
;
GeO挥发
;
预氧化应力消除
论文级别：
博士
学位年度：2013
8.
新型碳化硅微波功率MESFET结构设计及性能分析
作者：
宋坤
关键词：
碳化硅
;
肖特基栅场效应晶体管
;
表面陷阱
;
隔离层
;
频率特性
论文级别：
博士
学位年度：2013
9.
新型介质导波结构传输和辐射特性的电磁场工程化方法研究
作者：
潘咏梅
关键词：
新型介质导波结构
;
漏波天线
;
传输和辐射特性
;
电磁场工程化方法
;
左手介质
;
复数模
论文级别：
博士
学位年度：2009
10.
基于可调谐法布里—珀罗滤波器的光纤光栅解调技术研究
作者：
于效宇
关键词：
法布里—珀罗滤波器
;
光纤光栅传感器
;
解调
;
数字信号处理
论文级别：
博士
学位年度：2008
1
2
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4
5
6
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