CNKI学位论文(15)
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1.
超薄栅氧MOS器件栅泄漏电流研究
作者：
胡仕刚
关键词：
应力感应漏电流
;
界面陷阱
;
氧化层电荷
;
MOS器件
论文级别：
博士
学位年度：2009
2.
La-基高K栅介质Ge MOS器件制备及栅极
直接隧穿电流
模型
作者：
徐火希
关键词：
Ge
;
MOS器件
;
La系高k栅介质
;
界面特性
;
表面钝化层
;
直接隧穿电流
论文级别：
博士
学位年度：2012
3.
高K介质栅纳米MOSFET特性及相关器件效应的研究
作者：
李桂芳
关键词：
边缘隧穿电流
;
边缘电场效应
;
高K栅介质
;
关态泄漏电流
论文级别：
硕士
学位年度：2008
4.
单层纳米晶颗粒膜的可控性制备与电荷存储特性研究
作者：
王利
关键词：
纳米晶
;
闪存技术
;
电荷存储
;
功函数
;
磁控溅射
论文级别：
博士
学位年度：2009
5.
亚90纳米CMOS器件PSP建模技术和参数提取的研究
作者：
朱辉
关键词：
MOSFET
;
SPICE
;
BSIM4
;
PSP
;
器件模型
;
参数提取
论文级别：
硕士
学位年度：2008
6.
超薄HfO_2栅MOS结构C-V和I-V模拟
作者：
胡波
关键词：
HfO_2栅
;
泊松和薛定谔自洽
;
界面态电荷效应
;
空穴隧穿电流
论文级别：
硕士
学位年度：2011
7.
弹性约束游离磨料超光滑表面加工技术的研究
作者：
张富
关键词：
超光滑表面
;
游离磨料
;
弹性约束
;
脆性材料
;
去除机理
论文级别：
博士
学位年度：2007
8.
InP/Si低温晶片键合的电特性和力学特性的研究
作者：
徐丽冰
关键词：
InP/Si晶片键合
;
热应力
;
伏安特性
论文级别：
硕士
学位年度：2008
9.
90nm NMOS器件TDDB击穿特性研究
作者：
周鹏举
关键词：
NMOS器件
;
经时击穿
;
器件寿命
;
缺陷密度
论文级别：
硕士
学位年度：2007
10.
MOSFET隧穿漏电流噪声特性及测试方法研究
作者：
赖忠有
关键词：
栅漏
;
电流噪声
;
隧穿
论文级别：
硕士
学位年度：2009
1
2
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