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1.
单轴
应变Si
能带结构与nMOS电子迁移率研究
作者：
王冠宇
关键词：
单轴
应变Si
;
能带结构
;
nMOS
;
阈值电压
;
反型层迁移率
论文级别：
博士
学位年度：2012
2.
硅基应变CMOS研究与设计
作者：
屈江涛
关键词：
Si基应变
;
CMOS
;
阈值电压
;
I-V模型
;
漏致势垒降低效应
论文级别：
博士
学位年度：2012
3.
SOI SiGe HBT性能与结构设计研究
作者：
徐小波
关键词：
SOI
;
SiGe
;
异质结晶体管
;
模型
论文级别：
博士
学位年度：2012
4.
Si基应变材料制备技术研究
作者：
赵丽霞
关键词：
Si基应变材料
;
迁移率
;
外延系统
;
生长技术
;
微观分析
论文级别：
博士
学位年度：2012
5.
源漏诱生
应变Si
/Ge沟道MOSFET关键技术研究
作者：
周谦
关键词：
源漏诱生应变
;
应变Si
;
应变
;
Ge
;
Si
C ;
GeSn
论文级别：
博士
学位年度：2012
6.
单轴应变硅能带结构及载流子迁移率研究
作者：
马建立
关键词：
单轴应变硅
;
k·p微扰法
;
能带结构
;
有效质量
;
载流子迁移率
论文级别：
博士
学位年度：2012
7.
应变Si
载流子迁移率研究
作者：
王晓艳
关键词：
应变Si
;
散射几率
;
动量弛豫时间
;
占有率
;
载流子迁移率
论文级别：
博士
学位年度：2012
8.
ALD淀积高k栅介质材料与器件特性研究
作者：
匡潜玮
关键词：
高k栅介质
;
原子层淀积
;
能带结构
;
漏电机制
;
频率色散
;
高场输运
论文级别：
博士
学位年度：2013
9.
新型纳米SOI MOS器件结构分析与可靠性研究
作者：
曹磊
关键词：
SOI
;
MOSFET
;
异质栅
;
高k栅介质
;
量子化效应
;
应变硅技术
;
自加热效应
论文级别：
博士
学位年度：2013
10.
考虑结深的超短沟道MOSFET二维半解析模型
作者：
韩名君
关键词：
半解析法
;
电势
;
结深
;
MOSFET
论文级别：
博士
学位年度：2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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