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1.
GaN基电子器件中极化库仑场散射机制研究
作者：
栾崇彪
关键词：
AlGaN/AlN/GaN异质结构
;
InAlN/AlN/GaN异质结构
;
二维电子气密度
;
电子迁移率
;
极化电荷密度
;
极化库仑场散射
;
肖特基接触势垒高度
;
亚阈值摆幅
论文级别：
博士
学位年度：2014
2.
射频磁控反应溅射低温制备高C轴择优取向的氮化铝薄膜
作者：
邝许平
关键词：
射频磁控反应溅射
;
氮化铝薄膜
;
低温生长
;
二维X射线衍射
;
高C轴取向
论文级别：
博士
学位年度：2014
3.
基于极性面和非极性面GaN/AlN模板上ZnO薄膜材料生长研究
作者：
熊辉
关键词：
GaN/AlN
;
ZnO
;
MOCVD
;
PLD
;
磁控溅射
;
非极性面
;
极性面
论文级别：
博士
学位年度：2013
4.
基于表面势的GaN HEMT器件模型研究
作者：
汪洁
关键词：
GaN
;
HEMT器件
;
表面势
;
极化效应
;
费米势
;
解析分析
;
PSP模型
论文级别：
博士
学位年度：2013
5.
蓝宝石衬底上AlN薄膜和GaN、InGaN量子点的MOCVD生长研究
作者：
王虎
关键词：
金属有机物化学气相沉积
;
AlN
;
GaN量子点
;
InGaN量子点
论文级别：
博士
学位年度：2013
6.
新型氮化物InAlN半导体异质结构与HEMT器件研究
作者：
薛军帅
关键词：
脉冲式金属有机物化学气相淀积
;
晶格匹配
;
InAlN/GaN异质结无应变
;
高电子迁移率晶体管
;
双沟道
;
超薄AlN势垒层
;
AlGaN沟道
论文级别：
博士
学位年度：2013
7.
应变GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应
作者：
哈斯花
关键词：
激子
;
应变量子阱
;
屏蔽效应
;
流体静压力
论文级别：
博士
学位年度：2008
8.
位错与微裂纹的纳观实验力学研究
作者：
赵春旺
关键词：
位错
;
裂纹
;
应变场
;
高分辨电子显微镜
;
几何相位分析
论文级别：
博士
学位年度：2007
9.
GaN基太赫兹器件的新结构及材料生长研究
作者：
李亮
关键词：
GaN太赫兹器件
;
界面缺陷
;
AlGaN热电子注射极
;
N面GaN材料InAlN异质界面
论文级别：
博士
学位年度：2014
10.
AlInGaN半导体薄膜的MOVPE生长和光电特性研究
作者：
王东博
关键词：
AlInGaN
;
发光二极管
;
金属有机气相外延
;
相分离
;
载流子局域
;
紫外
论文级别：
博士
学位年度：2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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