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1.
高k栅介质MOS器件的特性模拟与实验研究
作者:
马飞
关键词:
金属氧化物半导体场效应晶体管
;
高k栅介质
;
边缘感应势垒降低
;
关态漏电流
;
阈值电压
;
原子层淀积
论文级别:
博士
学位年度:2013
2.
利用SiN_x插入层和新型图形化蓝宝石衬底提高GaN外延层质量的相关研究
作者:
杨德超
关键词:
GaN
;
金属有机物
化学气相淀积
;
SiN_x插入层
;
图形化蓝宝石衬底
;
湿法腐蚀
;
晶体质量
;
位错密度
论文级别:
博士
学位年度:2013
3.
高性能AlGaN/GaN异质结材料的MOCVD生长与特性研究
作者:
倪金玉
关键词:
金属有机化合物
化学气相淀积
;
AlGaN/GaN异质结
;
高电子迁移率晶体管
;
二维电子气
;
AlN插入层
;
应力
论文级别:
博士
学位年度:2009
4.
硅基应变材料生长动力学与缺陷控制研究
作者:
戴显英
关键词:
硅基应变材料
;
生长动力学模型
;
计算流体动力学模拟
;
缺陷控制
;
绝缘层上单轴应变硅
论文级别:
博士
学位年度:2012
5.
核石墨热解炭涂层的辐照损伤及熔盐浸渗特性的研究
作者:
冯尚蕾
关键词:
熔盐堆
;
核石墨
;
热解炭涂层
;
辐照缺陷
;
熔盐实验
论文级别:
博士
学位年度:2014
6.
新型氮化物InAlN半导体异质结构与HEMT器件研究
作者:
薛军帅
关键词:
脉冲式金属有机物
化学气相淀积
;
晶格匹配
;
InAlN/GaN异质结无应变
;
高电子迁移率晶体管
;
双沟道
;
超薄AlN势垒层
;
AlGaN沟道
论文级别:
博士
学位年度:2013
7.
SiGe HBT器件及其在LNA电路中的应用研究
作者:
张滨
关键词:
锗硅异质结双极晶体管
;
超宽带
;
低噪声放大器
;
噪声模型
;
噪声
;
系数
论文级别:
博士
学位年度:2013
8.
锗硅异质结晶体管及其微波低噪声放大器技术研究
作者:
贾素梅
关键词:
锗硅异质结晶体管
;
低噪声放大器
;
SiGe材料物理参数
;
常压
化学气相淀积
;
发射区台面自终止腐蚀
;
金属硅化物
论文级别:
博士
学位年度:2013
9.
原子层淀积金属氧化物阻变存储器件研究
作者:
陈琳
关键词:
电阻式存储器
;
非挥发存储器
;
金属氧化物
;
原子层淀积
;
导电熔丝
;
多值存储
;
阻变机制
论文级别:
博士
学位年度:2012
10.
UHVCVD外延生长——薄硅及锗硅单晶薄膜
作者:
崔继峰
论文级别:
硕士
学位年度:2004
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