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中图分类法(7)
工业技术(7)
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1.
非极性GaN基半导体材料的MOCVD生长与探测器研究
作者:
贾辉
关键词:
MOCVD
;
非极性
;
GaN
;
应变
;
MSM紫外探测器
论文级别:
博士
学位年度:2012
2.
CuAl_5Se_8、I_2-II-IV-VI_4以及AlGaN合金的结构和性能研究
作者:
李丹
关键词:
光电材料
;
电学性能
;
光学性能
;
第一性原理
;
缺陷稳定性
论文级别:
博士
学位年度:2013
3.
Ⅲ族氮化物半导体外延层薄膜的生长与表征研究
作者:
王党会
关键词:
结晶质量
;
缺陷
;
Ⅲ族氮化物
;
生长与表征
论文级别:
博士
学位年度:2013
4.
基于高温AIN成核层的GaN基异质结构材料生长研究
作者:
段焕涛
关键词:
金属有机化合物化学气相淀积
;
AlGaN/GaN异质结
;
高电子迁移率晶体管
;
二维电子气
;
高温A1N成核层
论文级别:
博士
学位年度:2011
5.
高Al组分AlGaN外延膜的测试与表征
作者:
史会芳
关键词:
MOCVD
;
AlGaN外延膜
;
表征
论文级别:
硕士
学位年度:2010
6.
斜切衬底上AlGaN/GaN异质结材料及n型GaN材料特性研究
作者:
许志豪
关键词:
GaN
;
AlGaN/GaN
;
斜切衬底
;
n型GaN
论文级别:
硕士
学位年度:2010
7.
GaN外延薄膜点缺陷与材料电学光学性质关系研究
作者:
杨传凯
关键词:
GaN(氮化镓)
;
点缺陷
;
漏电
;
黄带发光
;
SIMS(二次离子质谱)
论文级别:
硕士
学位年度:2011
1
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