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工业技术(11)

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1.源漏诱生应变Si/Ge沟道MOSFET关键技术研究

作者：周谦

关键词：源漏诱生应变 ; 应变Si ; 应变 ; Ge ; SiC ; GeSn

论文级别：博士

学位年度：2012

2.碳化硅PMOS器件特性模拟及仿真

作者：郜锦侠

关键词：碳化硅PMOS器件 ; 界面态 ; 源漏串联电阻 ; 有效迁移率 ; 漏击穿

论文级别：硕士

学位年度：2002

3.超深亚微米LDD MOSFET器件模型及热载流子可靠性研究

作者：于春利

关键词：热载流子效应 ; 超深亚微米 ; LDD ; MOSFET ; I-V模型 ; 衬底电流 ; 参数提取 ; 应力 ; 退化

论文级别：博士

学位年度：2005

4.深亚微米RF-CMOS器件物理与模型研究

作者：郑伟

关键词：MOSFET ; RF ; CMOS ; PSP模型 ; Layout优化

论文级别：硕士

学位年度：2012

5.4H-SiC隐埋沟道MOSFET理论和实验研究

作者：郜锦侠

关键词：碳化硅 ; 埋沟MOSFET ; 工作模式 ; C-V特性 ; 电流电压关系 ; 工艺 ; 测试

论文级别：博士

学位年度：2005

6.碳化硅MOSFET的高温模型及关键工艺研究

作者：韩茹

关键词：碳化硅 ; 补偿电流源 ; 体漏电流 ; 普尔-弗兰克效应 ; 欧姆接触

论文级别：硕士

学位年度：2006

7.基于ISE的MOSFET器件电学特性模拟分析与研究

作者：张学锋

关键词：高k电介质 ; 钝化层 ; 器件模拟 ; MOSFET ; 电学特性

论文级别：硕士

学位年度：2009

8.深亚微米LDD MOSFET器件热载流子效应研究

作者：饶伟

关键词：热载流子效应 ; LDD ; MOSFET ; 衬底电流模型 ; 可靠性

论文级别：硕士

学位年度：2009

9.GaN基HEMT高温特性及热可靠性研究

作者：姜守高

关键词：AlGaN/GaN ; 高温特性 ; 热存储 ; 电流崩塌

论文级别：硕士

学位年度：2010

10.亚100nm SOIMOSFET器件新结构及其性能研究

作者：曹寒梅

关键词：绝缘体上硅 ; 亚100nm ; 全耗尽 ; 新结构 ; 特性

论文级别：硕士

学位年度：2005

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