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工业技术(12)

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1.高压AlGaN/GaN HEMTs的新结构与场优化技术

作者：谢刚

关键词：高迁移率晶体管（HEMTs） ; III-V氮化合物半导体 ; 表面电场优化 ; 击穿电压 ; 空气桥场板（Air-bridge ; Field ; Plate ; AFP）

论文级别：博士

学位年度：2012

2.高K栅介质AlGaN/GaN MOS-HEMT器件研究

作者：岳远征

关键词：AlGaN/GaN异质结 ; 高K栅介质 ; 界面态 ; 热处理 ; MOS-HEMT器件

论文级别：博士

学位年度：2009

3.砷化镓微波功率场效应晶体管的硫钝化研究

作者：李晓光

关键词：砷化嫁 ; 金属半导体场效应管 ; 击穿电压 ; (NH_4)_2S_x处理 ; 负电荷表面态 ; 氮化硅钝化

论文级别：硕士

学位年度：2004

4.新结构SOI材料与器件物理研究

作者：朱鸣

关键词：绝缘体上的硅(SOI) ; 自加热效应 ; 浮体效应 ; 等离子体浸没式离子注入

论文级别：博士

学位年度：2005

5.图形化SOI技术研究

作者：董业民

关键词：图形化SOI ; SIMOX ; DSOl器件 ; 自热效应 ; 浮体效应 ; 纳米通道

论文级别：博士

学位年度：2004

6.4H-SiC MESFETs微波功率器件新结构与实验研究

作者：邓小川

关键词：4H-SiC ; MESFETs ; 微波功率器件 ; 源场板 ; 自热效应 ; 陷阱效应

论文级别：博士

学位年度：2008

7.提高GaAs MESFET击穿电压的研究

作者：李亚丽

关键词：砷化镓 ; 金属半导体场效应晶体管 ; 击穿电压 ; 硫钝化

论文级别：硕士

学位年度：2005

8.一种适用于功率驱动电路的BCD工艺开发及优化

作者：尹德杨

关键词：BCD工艺 ; 集成VDMOS ; 导通电阻 ; 电流能力

论文级别：硕士

学位年度：2010

9.利用TCAD软件优化兼容于BCD工艺的LDMOS结构

作者：陆鑫

关键词：TCAD ; LDMOS ; BCD ; 击穿电压 ; Resurf ; Double ; Resurf

论文级别：硕士

学位年度：2010

10.碳化硅PMOS器件特性模拟及仿真

作者：郜锦侠

关键词：碳化硅PMOS器件 ; 界面态 ; 源漏串联电阻 ; 有效迁移率 ; 漏击穿

论文级别：硕士

学位年度：2002

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