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中图分类法(60)
数理科学和化学(4)
工业技术(56)
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CNKI学位论文
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1.
新型应变SGOI/SOI MOSFET的结构设计及性能分析
作者：
李劲
关键词：
应变硅
;
SOI
;
MOSFET
;
异质栅
;
短沟道效应
;
漏致势垒降低
论文级别：
博士
学位年度：2011
2.
高功率微波窗口击穿及馈源技术
作者：
秋实
关键词：
高功率微波
;
介质击穿
;
模式转换
;
多模喇叭
;
旋转关节
论文级别：
博士
学位年度：2010
3.
SnO_2：F薄膜的光电特性
作者：
陈红
论文级别：
硕士
学位年度：2004
4.
单轴应变硅能带结构及载流子迁移率研究
作者：
马建立
关键词：
单轴应变硅
;
k·p微扰法
;
能带结构
;
有效质量
;
载流子迁移率
论文级别：
博士
学位年度：2012
5.
单轴应变Si能带结构与nMOS电子迁移率研究
作者：
王冠宇
关键词：
单轴应变Si
;
能带结构
;
nMOS
;
阈值电压
;
反型层迁移率
论文级别：
博士
学位年度：2012
6.
Si基应变材料制备技术研究
作者：
赵丽霞
关键词：
Si基应变材料
;
迁移率
;
外延系统
;
生长技术
;
微观分析
论文级别：
博士
学位年度：2012
7.
应变Si载流子迁移率研究
作者：
王晓艳
关键词：
应变Si
;
散射几率
;
动量弛豫时间
;
占有率
;
载流子迁移率
论文级别：
博士
学位年度：2012
8.
Au/（Ge/SiO_2）/p-Si结构的电流输运及电致发光机制研究
作者：
陈彦
关键词：
射频磁控溅射
;
Au/(Ge/SiO_2)/p-Si结构
;
电流输运
;
电致发光
;
位形坐标模型
;
量子限制-发光中心
论文级别：
硕士
学位年度：2007
9.
硅基应变与弛豫材料的CVD生长动力学模型研究
作者：
金国强
关键词：
硅基应变与弛豫材料
;
生长动力学
;
生长速率模型
;
GROVE理论
论文级别：
硕士
学位年度：2011
10.
应变硅MOS界面特性研究
作者：
郭超
关键词：
应变硅
;
MOS器件
;
界面态
;
可靠性
论文级别：
硕士
学位年度：2011
1
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按检索点细分(60)
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