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1.非故意掺杂4H-SiC本征缺陷及退火特性研究

作者：程萍

关键词：非故意掺杂 ; 4H-SiC ; 电子顺磁共振 ; 光致发光 ; 退火处理 ; 本征缺陷 ; 碳空位及其络合物

论文级别：博士

学位年度：2010

2.纳米SOI MOSFET的结构设计和性能分析

作者：栾苏珍

关键词：SOI ; MOSFET ; 短沟道效应 ; 漏致势垒降低 ; 异质栅 ; 肖特基源漏 ; 高k栅介质 ; 边缘感应电场效应 ; 频率色散

论文级别：博士

学位年度：2008

3.4H-SiC同质外延的表征及深能级分析研究

作者：贾仁需

关键词：化学气相淀积(CVD) ; 4H-SiC同质外延 ; 材料表征技术 ; 本征深能级 ; 离子注入 ; 退火

论文级别：博士

学位年度：2009

4.3C-SiC/Si异质外延生长与肖特基二极管伏安特性的研究

作者：陈达

关键词：化学气相沉积(CVD) ; 3C-SiC ; 应力 ; 材料表征 ; 异质外延机理 ; 肖特基二极管

论文级别：博士

学位年度：2011

5.纳米围栅MOSFET器件研究

作者：李聪

关键词：MOSFET ; 三异质栅 ; 电感应扩展源漏 ; 高κ栅介质 ; 短沟道效应边缘感应至势垒降低效应 ; 解析模型

论文级别：博士

学位年度：2011

6.4H-SiC同质外延薄膜及其高压肖特基二极管器件研究

作者：张发生

关键词：化学气相淀积 ; 4H-SiC同质外延 ; 4H-SiC肖特基二极管 ; 金-半接触 ; 结终端技术 ; 反向耐压

论文级别：博士

学位年度：2010

7.4H-SiC同质外延生长及器件研究

作者：李哲洋

论文级别：博士

学位年度：2012

8.新型应变SGOI/SOI MOSFET的结构设计及性能分析

作者：李劲

关键词：应变硅 ; SOI ; MOSFET ; 异质栅 ; 短沟道效应 ; 漏致势垒降低

论文级别：博士

学位年度：2011

9.4H-SiC外延材料低位错密度关键技术研究

作者：苗瑞霞

关键词：4H-SiC材料 ; 位错延伸和转化机理 ; 外延生长 ; BPD ; SF ; 缺陷无损表征技术

论文级别：博士

学位年度：2010

10.离子注入和退火对非故意掺杂4H-SiC中本征缺陷影响的ESR研究

作者：苏江

关键词：离子注入 ; 非故意掺杂4H-SiC ; 退火 ; ESR谱

论文级别：硕士

学位年度：2011

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