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1.
低维结构和器件的物理力学耦合研究
作者:
郭宇锋
关键词:
碳纳米管
;
铜纳米线
;
量子力学
;
分子动力学
;
耦合特性
;
结构相变
;
可控手性
;
缺陷自修复
论文级别:
博士
学位年度:2005
2.
SOI横向高压器件耐压模型和新器件结构研究
作者:
郭宇锋
关键词:
SOI
;
击穿电压
;
RESURF
;
INBOLF
;
模型
论文级别:
博士
学位年度:2005
3.
中国公共政策执行过程中的利益博弈
作者:
谢炜
关键词:
公共政策
;
执行
;
过程
;
利益博弈
论文级别:
博士
学位年度:2007
4.
复合栅多阶梯场极板LDMOS电学特性的研究
作者:
高珊
关键词:
复合栅
;
多阶梯场极板
;
LDMOS
;
RESURF原理
论文级别:
博士
学位年度:2007
5.
横向高压器件电场调制效应及新器件研究
作者:
段宝兴
关键词:
LDMOS
;
REBULF
;
ENDIF
;
电场调制
;
衬底终端技术
论文级别:
博士
学位年度:2007
6.
部分绝缘键合SOI新结构及应用基础研究
作者:
谭开洲
关键词:
部分绝缘键合SOI结构
;
微观作用机理
;
VDMOS大负载X射线辐射模型
;
埋层结构电阻模型
;
BCD集成工艺
论文级别:
博士
学位年度:2008
7.
薄漂移区横向高压器件耐压模型及新结构
作者:
李琦
关键词:
RESURF
;
薄漂移区
;
解析模型
;
电场调制
;
电荷共享
;
表面电场
论文级别:
博士
学位年度:2008
8.
SOI横向高压器件纵向耐压理论与新结构
作者:
胡盛东
关键词:
ENDIF
;
SOI
;
击穿电压
;
硅临界场
;
界面电荷
;
介质场
论文级别:
博士
学位年度:2010
9.
TiNiNb形状记忆合金的性能研究及其作为中温管接头的优化设计
作者:
莫华强
关键词:
TiNiNb
;
形状记忆合金
;
显微组织
;
恢复力
;
应力松弛
;
电子辐照效应
;
管接头
;
数学模型
;
优化设计
论文级别:
博士
学位年度:2003
10.
横向超结功率器件的REBULF理论与新技术
作者:
王文廉
关键词:
功率器件
;
超结
;
LDMOS
;
衬底辅助耗尽
;
REBULF
论文级别:
博士
学位年度:2010
1
2
3
4
5
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