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1.GaN材料的制备、性能及生长机理研究

作者：曹玉萍

关键词：磁控溅射 ; GaN ; 纳米结构 ; 掺杂 ; 氨化

论文级别：博士

学位年度：2010

2.提高GaAs MESFET击穿电压的研究

作者：李亚丽

关键词：砷化镓 ; 金属半导体场效应晶体管 ; 击穿电压 ; 硫钝化

论文级别：硕士

学位年度：2005

3.4H-SiC MESFET参数模型和射频放大器的设计

作者：曹全君

关键词：4H-SiC ; MESFET ; 射频 ; 大信号模型 ; 放大器

论文级别：硕士

学位年度：2005

4.4H-SiC MESFET的大信号模型及微波功率合成研究

作者：刘卫兵

关键词：4H-SiC ; MESFET ; 射频 ; 大信号 ; 功率合成

论文级别：硕士

学位年度：2006

5.NDLECSI GaAs衬底材料对MESFET器件性能的影响

作者：郭惠

关键词：砷化镓 ; 金属半导体场效应晶体管 ; 离子注入 ; 阈值电压 ; EL2浓度 ; 硅注入激活率 ; 背栅效应

论文级别：硕士

学位年度：2002

6.GaN MOSFET器件特性计算机模拟分析与研究

作者：王振

关键词：GaN ; MOSFET ; 数值模拟 ; Sentaurus ; 阈值电压 ; 饱和漏电流 ; 界面态 ; 截止频率

论文级别：硕士

学位年度：2008

7.GaAs微波功率单片电路技术研究

作者：刘健

关键词：GaAs ; 微波单片集成电路 ; PHEMT ; 大功率放大器

论文级别：硕士

学位年度：2007

8.新型结构的碳化硅MESFET设计与仿真研究

作者：张睿

关键词：4H-SiC ; MESFET ; 表面陷阱 ; 埋沟-埋栅 ; 场板 ; 双沟道

论文级别：硕士

学位年度：2010

9.射频碳化硅E类功率放大器研究

作者：徐志超

关键词：射频功放 ; E类 ; SiC ; MESFET ; 微带线 ; 晶体管参数

论文级别：硕士

学位年度：2010

10.2W级宽带Ka波段毫米波功率放大器设计

作者：王记平

关键词：微波单片集成电路 ; Ka波段 ; PHEMT晶体管 ; 功率放大器

论文级别：硕士

学位年度：2010

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