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1.
薄漂移区横向高压器件耐压模型及新结构
作者:
李琦
关键词:
RESURF
;
薄漂移区
;
解析模型
;
电场调制
;
电荷共享
;
表面电场
论文级别:
博士
学位年度:2008
2.
4H-SiC MESFETs微波功率器件新结构与实验研究
作者:
邓小川
关键词:
4H-SiC
;
MESFETs
;
微波功率器件
;
源场板
;
自热效应
;
陷阱效应
论文级别:
博士
学位年度:2008
3.
基于介质电场增强理论的SOI横向高压器件与耐压模型
作者:
罗小蓉
关键词:
ENDIF
;
SOI
;
低k介质
;
调制
;
击穿电压
;
解析模型
论文级别:
博士
学位年度:2007
4.
基于高低压兼容工艺的高压驱动集成电路
作者:
乔明
关键词:
SOI
;
REBULF
;
IFO技术
;
背栅效应
;
高压互连
论文级别:
博士
学位年度:2008
5.
4H-SiC同质外延的表征及深能级分析研究
作者:
贾仁需
关键词:
化学气相淀积(CVD)
;
4H-SiC同质外延
;
材料表征技术
;
本征深能级
;
离子注入
;
退火
论文级别:
博士
学位年度:2009
6.
国人膝关节假体旋转对线参考标志的变异性和膝关节解剖特点与屈膝范围关系的研究
作者:
赵宝辉
关键词:
全膝关节表面置换术
;
旋转对线
;
屈膝范围
;
偏置距
;
后倾角
论文级别:
博士
学位年度:2009
7.
以人毛囊外根鞘细胞和成纤维细胞构建皮肤替代物的实验研究
作者:
刘淑华
关键词:
毛囊外根鞘细胞
;
毛囊外根鞘
;
表皮干细胞
;
bulge区
;
皮肤替代物
;
构建
;
移植
;
实验研究
论文级别:
博士
学位年度:2007
8.
4H-SiC MESFET非线性模型研究
作者:
曹全君
关键词:
4H-SiC
;
MESFET
;
射频
;
大信号模型
;
自热效应
;
DIBL效应
论文级别:
博士
学位年度:2008
9.
基于电荷平衡的横向功率器件研究
作者:
陈万军
关键词:
功率器件
;
功率集成电路
;
超级结
;
击穿电压
;
比导通电阻
论文级别:
博士
学位年度:2007
10.
新型半桥功率集成电路的研究
作者:
孔谋夫
关键词:
电平位移
;
隔离技术
;
半桥功率IC
;
低压电源
;
两多子器件
论文级别:
博士
学位年度:2013
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