铜在金电极表面的选择性化学镀富集的研究

详细信息   

• 责任者：邱健^c兰州大学 ; 景粉宁 ; 何丽君 ; 王春明
• 刊名：分析化学
• 出版年：2005
• 卷期：33^b5
• 关键词：铜 ; 伏安法
• 页码：623～626
• 索书号：P155.06/149-2
• 图表：^c参6插图
• 分类号：2300
• 文摘期号：2006/05

摘要

在具有催化还原活性的金电极表面,以水合肼为还原剂,在pH 10.5 酒石酸钾钠溶液中,通过化学镀方法,选择性地在金电极表面沉积了单层结构的铜膜。用开路电位‐时间谱技术(Op‐t)﹑循环伏安法(CV)和微分脉冲伏安法(DPV)表征了该溶液还原法对铜进行选择性富集的机理和效果。证明在多种金属离子共存的复杂溶液体系中,可以避免其它离子的干扰,使铜选择性地富集到金电极表面。化学镀浴中富集到金电极表面的单层铜膜溶出电流与Cu²⁺的浓度在3×10^-6～1×10^-4 mol/L范围内呈线性关系。该法已用于矿样中铜的还原富集、分离和测定,分析结果与电感耦合等离子体发射光谱法(ICP/AES)作了比较,结果满意。