生长温度对L-MBE法制备的ZnO薄膜性能的影响
- 出版年：2006
- 作者：徐庆安；张景文；杨晓东；巨楷如；贺永宁；侯洵
- 单位1：中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室
- 单位2：中国科学院研究生院
- 出生年：1975
- 学历：博士研究生
- 语种：中文
- 作者关键词：ZnO薄膜；生长温度；激光分子束外延；X射线衍射；光致发光谱
- 起始页：248
- 总页数：5
- 经费资助：教育部985工程2期、211工程2期；河南省杰出人才基金(0421001500)；教育部博士点基金(20030698008)资助项目
- 刊名：人工晶体学报
- 是否内版：否
- 刊频：双月刊
- 创刊时间：1972
- 主办单位：中国硅酸盐学会；晶体生长与材料专业委员会；中材人工晶体研究院
- 主编：余明清
- 电子信箱：E-mail:bjb@jtxb.cn
- 网址：www.jtxb.cn
- 卷：35
- 期：2
- 期刊索取号：P311.06105
- 核心期刊：中文核心期刊
摘要
在蓝宝石C面上利用激光分子束外延(L-MBE)的方法，分别在250℃、300℃、350℃、400℃和450℃生长了高度C轴取向的ZnO薄膜。并进行了X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)谱的分析。测试结果表明，较低温度时，随着生长温度的升高，薄膜的结晶及发光性能得到提高；但是当温度进一步升高，却有所变差。说明利用L-MBE系统制备ZnO薄膜存在一合适的温度范围，并对此机理进行了深入分析。