SiGe合金半导体中自间隙缺陷和两种碳相关缺陷的计算研究

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• 出版年：2009
• 作者：杨福华；谭劲；周成冈；凌芝
• 单位1：中国地质大学材料科学与化学工程学院
• 出生年：1984
• 学历：硕士研究生
• 语种：中文
• 作者关键词：Si_1-xGe_x合金；从头计算法；W缺陷；碳相关缺陷
• 起始页：343
• 总页数：5
• 经费资助：教育部留学回国人员科研启动基金（教外司留[2005]546）；国家自然科学基金（40643018）资助项目
• 刊名：稀有金属
• 是否内版：否
• 刊频：双月刊
• 创刊时间：1977
• 主管单位：中国有色金属工业协会
• 主办单位：北京有色金属研究总院
• 主编：屠海令
• 地址：北京新街口外大街2号
• 邮编：100088
• 电子信箱：rmchina@263.net；xxsf@grinm.com
• 网址：http://www.grinm.com.cn
• 卷：33
• 期：3
• 期刊索取号：P755.06 709-1
• 数据库收录：中文核心期刊；冶金工业类核心期刊；美国化学文摘（CA）源期刊；中国科技论文统计源期刊；中国科学引文数据库源期刊；中国物理学文献数据库原期刊
• 核心期刊：中文核心期刊；冶金工业类核心期刊

摘要

采用从头计算（abinitio）的方法对比研究了Si_1-xGe_x合金半导体材料中W缺陷、C_iC_s缺陷和C_iO_i缺陷的性质。在Si_1-xGe_x合金中，Ge原子不能与缺陷核心的C原子和O原子直接成键，但可能与W缺陷核心的间隙Si原子相连。在含C_iO_i缺陷的晶胞中，Ge原子倾向于取代沿[110]伸长方向的Si原子。随着合金中Ge含量的升高，W缺陷的形成能不断增加，结构稳定性逐渐降低。与W缺陷不同的是，C_iC_s缺陷和C_iO_i缺陷在不同Ge含量的Si_1-xGe_x合金中形成能变化较小，变化幅度在0.15eV以内，理论研究结果与前人的实验结果相吻合。