LaNiO₃缓冲层对化学溶液法制备的Pb(Mg_(1／3)Nb_(2/3))O₃-PbTiO₃薄膜的结构与电学性能的影响

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• 出版年：2008
• 作者：刘爱云
• 单位1：上海师范大学物理系
• 出生年：1975
• 学历：博士
• 职称：讲师
• 语种：中文
• 作者关键词：LNO缓冲层；PMNT薄膜；烧绿石相
• 起始页：422
• 总页数：5
• 经费资助：上海市教育委员会科学研究项目（No.07zz70）；上海高校选拔培养优秀青年教师科研专项基金(No．RE658)项目
• 刊名：人工晶体学报
• 是否内版：否
• 刊频：双月刊
• 创刊时间：1972
• 主办单位：中国硅酸盐学会；晶体生长与材料专业委员会；中材人工晶体研究院
• 主编：余明清
• 电子信箱：bjb@jtxb.cn；jtxbbjb@126.com
• 网址：www.jtxb.cn
• 卷：37
• 期：2
• 期刊索取号：P311.06105
• 核心期刊：中文核心期刊

摘要

采用化学溶液法在Pt/TiO₂/SiO₂/Si衬底上制备了92% Pb(Mg_(1／3)Nb_(2/3))O₃-8% PbTiO₃(PMNT)薄膜，对于在衬 底上引入缓冲层LaNiO₃(LNO)和没有引入缓冲层LNO所制备的PMNT薄膜结构及电学性能进行了比较和研究。 X射线衍射测试结果表明：直接在Pt/TiO₂/SiO₂/Si衬底上所制备的PMNT薄膜含有大量的烧绿石相，且薄膜呈现 高度的(111)择优取向；而当在Pt/TiO₂/SiO₂/Si衬底上引入LNO缓冲层后，所制备的PMNT薄膜是纯钙钛矿相，且 薄膜呈现(100)择优取向。通过铁电和介电性能测试表明：当在Pt/TiO₂/SiO₂/Si衬底上引入缓冲层LNO后，所制 备的PMNT薄膜的剩余极化和介电常数也都得到了较大提高。