Mn掺杂Ga₂O₃薄膜的结构及光吸收性能研究

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• 出版年：2009
• 作者：胡帆；晁明举；梁二军；姜雅丽
• 单位1：郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室
• 出生年：1984
• 学历：硕士研究生
• 语种：中文
• 作者关键词：Ga₂O₃薄膜；Mn掺杂；磁控溅射；微观结构；光吸收性能
• 起始页：16
• 总页数：4
• 经费资助：河南省教育厅自然科学研究计划（2006140009）
• 刊名：材料导报
• 是否内版：否
• 刊频：半月刊
• 创刊时间：1987
• 主管单位：科学技术部
• 主办单位：科学技术部西南信息中心
• 主编：张明
• 地址：重庆市渝北区洪湖西路18号
• 邮编：401121
• 电子信箱：matzhubian@gmail.com；mat-rev@163.com；matreved@163.com；maeditor@gmail.com
• 网址：http://www.mat-rev.com
• 卷：23
• 期：16
• 期刊索取号：P822.06 432
• 数据库收录：全国中文核心期刊；中国科学引文数据库来源期刊；中国科技论文统计源期刊
• 核心期刊：全国中文核心期刊

摘要

采用磁控溅射法在Si（111）和玻璃衬底上制备出不同Mn掺杂含量的Ga₂O₃薄膜，使用扫描电子显微镜、电子能谱仪、X射线衍射仪、紫外一可见分光光度计等对Mn掺杂Ga₂O₃薄膜的表面形貌、结晶特性和光吸收性能进行了研究。结果表明，适量掺杂Mn可抑制薄膜的晶格膨胀，促进Ga₂O₃薄膜晶粒的定向生长，得到尺寸分布较均匀的多面体晶粒。Mn掺杂使Ga₂O₃价带顶向带隙延伸，光学带隙变窄，吸收边红移，近紫外区吸收增强。