InGaN合金的微结构光学特征及其Stokes偏移研究

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• 出版年：2010
• 作者：董少光
• 单位1：佛山科学技术学院光电子与物理学系
• 出生年：1970
• 学历：博士
• 职称：讲师
• 语种：中文
• 作者关键词：InGaN材料；光学特征；光致发光；Stokes偏移
• 起始页：14
• 总页数：5
• 经费资助：广州市LED工业研究开发基地研发项目
• 刊名：材料导报
• 是否内版：否
• 刊频：半月刊
• 创刊时间：1987
• 主管单位：重庆西南信息有限公司（原科技部西南信息中心）
• 主办单位：重庆西南信息有限公司
• 主编：张明
• 地址：重庆市渝北区洪湖西路18号
• 邮编：401121
• 电子信箱：mat-rev@163.com；matreved@163.com；maeditor@gmail.com
• 网址：http://www.mat-rev.com
• 卷：24
• 期：10
• 期刊索取号：P822.06 432
• 数据库收录：中文核心期刊；中国科学引文数据库来源期刊；中国科技论文统计源期刊
• 核心期刊：中文核心期刊

摘要

研究了生长在GaN/Al₂O₃模板层上的InGaN合金的微结构形态，并通过Raman光谱测定了InGaN合金的晶相，采用分光镜椭圆测量对InGaN合金的光学带隙进行了研究，分析了InGaN合金带隙产生Stokes偏移的本质及原因。AFM显微图表明生长在GaN/Al₂O₃模板层上的InGaN合金的微结构晶体质量得到了很好的改善。In-GaN合金的Raman光谱曲线非常微弱，与GaN/Al₂O₃的Raman光谱曲线几乎完全重叠。通过分光镜椭圆测量可知，InGaN合金的光学带隙Eg随着In含量的增加而减少。InGaN合金在红外区域表现出强烈的光致发光峰，随着Ga含量的增加，光致发光峰表现出较大的蓝移即Stokes偏移。在InGaN合金的中间In组分附近Stokes偏移达到最大值。产生Stokes偏移的主要原因是InN在GaN中具有较低的混溶性。Stokes偏移也可归结为InGaN合金中存在局域态，InGaN合金中载流子的局域化程度越高，Stokes偏移就越大。