高纯贵金属靶材在半导体制造中的应用与制备技术

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• 作者：何金江陈明朱晓光罗俊锋尚再艳贺昕熊晓东
• 会议时间：2013-11-20
• 关键词：半导体 ; 贵金属靶材 ; 物理气相沉积技术 ; 制备工艺
• 作者单位：北京有色金属研究总院 有研亿金新材料股份有限公司,北京 102200
• 母体文献：2013年中国贵金属研讨会论文集
• 会议名称：2013年中国贵金属研讨会
• 会议地点：云南腾冲
• 主办单位：中国有色金属学会
• 语种：chi

摘要

高纯Au、Ag、Pt、Ru 贵金属及其合金溅射靶材是半导体PVD工艺制程中的溅射源材料,广泛用于半导体制造工艺中,成为保证半导体器件性能和发展半导体技术必不可少及不可替代的材料.本文阐述了高纯贵金属靶材的应用。阐述了高纯贵金属靶材的制备技术。探讨了对贵金属靶材的循环回收利用。