SiC陶瓷引弧微爆炸单脉冲加工试验及仿真

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• 作者：张保国田欣利李富强唐修检王健全
• 会议时间：2012-09-13
• 关键词：碳化硅陶瓷 ; 引弧微爆炸技术 ; 单脉冲加工试验 ; 工艺参数
• 作者单位：装甲兵工程学院再制造技术重点实验室,北京100072
• 母体文献：第四届高能束加工技术国际学术会议论文集
• 会议名称：第四届高能束加工技术国际学术会议
• 会议地点：青岛
• 主办单位：中国机械工程学会
• 语种：chi
• 分类号：TK1;O4

摘要

本文对SiC陶瓷引弧微爆炸单脉冲加工进行了实验研究,讨论了工艺参数对加工效率的影响,并对加工过程中的温度场进行了仿真,分析了SiC陶瓷引弧微爆炸加工时的材料去除机理.结果表明,SiC陶瓷引弧微爆炸单脉冲加工后材料表面存在加工损伤层,工艺参数对加工效率影响显著,仿真得到的蚀坑尺寸与实验结果符合良好,SiC陶瓷主要依靠引弧微爆炸产生的高温等离子体射流引起的氧化和分解作用去除.研究为引弧微爆炸加工机理的揭示以及工艺参数的优选提供了理论依据.