坑道直流电阻率测深有限元数值模拟

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• 作者：黄俊革鲍光淑阮百尧
• 会议时间：2003-11-07
• 关键词：坑道 ; 直流电阻率测深 ; 有限元 ; 数值模拟 ; 资料解释
• 作者单位：黄俊革(中南大学资源环境与建筑工程学院,湖南,长沙,410083;桂林工学院资源与环境工程系,广西,桂林,541004)鲍光淑(中南大学资源环境与建筑工程学院,湖南,长沙,410083)阮百尧(桂林工学院资源与环境工程系,广西,桂林,541004)
• 母体文献：第六届中国国际地球电磁学术讨论会论文集
• 会议名称：第六届中国国际地球电磁学术讨论会
• 会议地点：北京
• 主办单位：中国地球物理学会
• 语种：chi

摘要

用有限单元法对坑道内的直流电阻率测深进行数值模拟计算.在坑道内进行电阻率测深时,可利用坑道的四个面和四个角进行测量.由于受到坑道本身和体积效应影响,坑道内电阻率测深的资料解释的困难很大.本文首先给出坑道中正常电位的取值,并利用有限单元异常电位计算法对坑道内电阻率测深进行正演计算.结果表明,坑道面上的测深断面反映的基本是本坑道面外侧地质体的信息,对其他位置的地质体没有明显反映,坑道角断面则反映的是相邻两个坑道面外侧地质体的综合信息.