化学溶池法制备CuInGaSe2太阳能电池缓冲层ZnS薄膜的研究进展

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• 作者：刘庭芝多树旺张荣发杨干兰黄隆周泽华
• 会议时间：2009-10-24
• 关键词：化学水浴 ; 缓冲层 ; 太阳能电池 ; 络合前驱 ; 化学溶池法 ; 成膜机制 ; 梯度膜
• 作者单位：江西科技师范学院 江西省材料表面工程重点实验室,江西 南昌 330038
• 母体文献：第十二届全国高校金相与显微分析学术年会论文集
• 会议名称：第十二届全国高校金相与显微分析学术年会
• 会议地点：桂林
• 主办单位：中国体视学学会
• 语种：chi

摘要

ZnS无毒、来源丰富、价格低廉、禁带宽度大,可提高电池的蓝光光谱响应、开路电压和短路电路,减小电子亲和势,电池转换效率高等。这些优点使其成为近年来CuInGaSe2太阳能电池缓冲层的研究热点之一。本文综述了化学溶池法(CBD)制备太阳能电池缓冲层Zns薄膜的研究现状,探讨了CBD法存在的不足、成膜机制和计算思路,其中就后两者提出了新见解,了解了以它为缓冲层的CuInGaSe2太阳能电池的转换效率,指出了化学溶池制备ZnS薄膜今后的研究和发展方向,并提出CBD法制备的ZnS本质上是一种梯度膜。