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Fe/GaN氮化制备Fe-N/GaN特性研究
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  • 作者:褚月乔 ; 郑洁 ; 张超
  • 关键词:自旋电子学 ; 磁性材料 ; 氮化铁 ; GaN
  • 中文刊名:ELEW
  • 英文刊名:Electronics World
  • 机构:南京邮电大学电子科学与工程学院;
  • 出版日期:2017-07-08
  • 出版单位:电子世界
  • 年:2017
  • 期:No.523
  • 语种:中文;
  • 页:ELEW201713109
  • 页数:2
  • CN:13
  • ISSN:11-2086/TN
  • 分类号:133-134
摘要
本文介绍了自旋电子学的发展状况,对Fe-N化合物的研究现状以及常见的几种铁氮化合物进行了介绍。其中着重介绍了近年来氮d化铁材料在制备方法、结构和性能方面的研究进展。同时,我们应用磁控溅射在Ga N薄膜上制备了Fe薄膜,通过高温氮化的方式制备了Fe-N化合物,并对其基本结构进行了初步研究。
        
引文
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