PVT生长GaN纳米线的光学性质研究

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	作者：李瑛 中文刊名：ELEW 英文刊名：Electronics World 机构：南京邮电大学; 出版日期：2019-05-08 出版单位：电子世界 年：2019 期：No.567 语种：中文; 页：ELEW201909019 页数：2 CN：09 ISSN：11-2086/TN 分类号：32-33

摘要

<正>GaN纳米材料以其特有的量子限制效应、库仑阻塞效应、以及高的比表面积和线内极好的单晶性能而日益受到重视。本文采用物理气相输运(PVT)法生长GaN纳米线,反应源采用金属Ga和NH3,具有设备简单、参数的可控性和重复性高,成本较低的优势。针对影响纳米线生长结果的主要因素:温度、衬底和催化剂作了系列研究,使用扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱和拉曼光谱(Raman)对样品进行分析表征。
        

引文