溅射硒化法制备CZTSe薄膜及太阳电池研究进展
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- 论文作者：张毅 ; 李建军 ; 刘晓茹 ; 孙云
- 年：2017
- 作者机构：南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;
- 论文关键词：CZTSSe ; 溅射硒化法 ; ZnOS ; 欧姆接触 ; 薄膜太阳电池
- 会议召开时间：2017-05-27
- 会议录名称：第四届新型太阳能电池学术研讨会论文集
- 英文会议录名称：Abstract Book of the 4th Conference on New Generation Solar Cells
- 语种：中文
- 分类号：TM914.4
- 学会代码：ZKYQ
- 会议名称：第四届新型太阳能电池学术研讨会
- 会议地点：中国北京
- 主办单位：中国可再生能源学会光化学专业委员会
- 学会名称：中国科学院物理研究所清洁能源实验室
- 页数：1
- 文件大小：801k
- 原文格式：D
- 会议级别：全国
摘要
由于CZTSSe的成相区域较小,使得在CZTSSe合成过程中很容易产生Zn(S,Se),Sn(S,Se)_2,和Cu2(S,Se)等杂相,产生的Sn(S,Se)在反应过程中容易挥发流失造成薄膜Sn损失严重,而且生成的CZTSSe在高温下发生分解,因此,如何调控薄膜的物相成分是研制CZTSSe薄膜电池的关键步骤。本文介绍了本课题组近期的研究工作。通过采用溅射硒化法制备CZTSSe吸收层,从材料制备的角度实现了CZTSSe薄膜物相的合理调控,研制出效率达到10.4%的CZTSSe薄膜太阳电池。通过研究,解决了CZTSSe薄膜制备过程中的一些关键问题,明确了硒化过程中薄膜的反应机理。在通过深入研究,提出了解决CZTSe薄膜电池欧姆接触的方法,同时采用ZnSO为缓冲层,制备出效率为7.21%的CZTSe电池。
引文