外延生长法制备的Si基1.3微米量子点激光器

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• 论文作者：杨冠卿 ; 徐波 ; 梁平 ; 吕尊仁 ; 胡颖 ; 于天 ; 刘峰奇 ; 杨涛 ; 陈涌海 ; 王占国
• 年：2017
• 作者机构：中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室;
• 会议召开时间：2017-05-25
• 会议录名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会会议论文集
• 语种：中文
• 分类号：TN248
• 学会代码：XMJS
• 会议名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会
• 会议地点：中国福建厦门
• 主办单位：厦门大学物理科学与技术学院、浙江大学硅材料国家重点实验室
• 学会名称：厦门大学物理科学与技术学院
• 页数：2
• 文件大小：185k
• 原文格式：D
• 会议级别：全国

摘要

<正>近年来通过制备硅基Ⅲ-Ⅴ族半导体激光器以实现高性能硅基光源的研究备受人们关注。在Si衬底上外延生长Ⅲ-Ⅴ族激光器材料的方法易于实现Ⅲ-Ⅴ族材料与Si衬底的大面积集成,因而成为一条很有希望的技术途径。由于Ⅲ-Ⅴ族材料与Si衬底的大晶格失配、界面极性差异和热膨胀系数差异,外延层中的失配位错、反相畴错等缺陷很难完全避免;而量子点材料对位错的敏感度较低,因此

引文

[1]S.Chen,W.Li,J.Wu,Q.Jiang,M.Tang,S.Shutts,et al.,"Electrically pumped continuous-wave III–Vquantum dot lasers on silicon,"Nature Photonics,vol.10,pp.307-311,2016.
    [2]H.Liu,Q.Wang,J.Chen,K.Liu,and X.Ren,"MOCVD growth and characterization of multi-stacked In As/Ga As quantum dots on misoriented Si(100)emitting near 1.3μm,"Journal of Crystal Growth,vol.455,pp.168-171,2016.
    [3]S.M.Chen,M.C.Tang,J.Wu,and Q.Jiang,"1.3μm In As/Ga As quantum-dot laser monolithically grown on Si substrates operating over 100°,"Electronics Letters,vol.50,pp.1467-1468,2014.
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