12kV真空断路器灭弧室电场分析
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摘要
建立12kV真空灭弧室的二维模型,利用有限元法计算和分析真空灭弧室内的电位和电场分布,给出了动、静触头沿面以及悬浮屏蔽罩沿面的场强分布曲线,给出了真空灭弧室的动静触头沿面及悬浮屏蔽罩表面的电场分布。仿真结果表明:真空灭弧室内的电位分布均匀,在动静触头表面的拐弯处和悬浮电极的弯曲处的电力线比较集中,而动静触头及悬浮屏蔽罩沿面的场强最大值出现在拐弯处,而动静触头沿面及悬浮屏蔽罩之间出现不均匀的电场,将会导致触头间隙的击穿,导致真空断路器开断失败,因此这些位置设计时应给予重视。
引文
[1]王季梅,钱予圭.论高压真空灭弧室和真空断路器的产品开发[J].高压电器,2003,39(1):65‐67.
[2]曹云东,刘晓明.12k V户外真空断路器电场数值计算与分析[J].高压电器,2002,38(3):14‐15.
[3]王仲奕,王季梅.高压真空灭弧室的计算分析及结构改进[J].中国电机工程学报,1998,18(2):144‐147.
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[5]赵智忠,邹积岩,文化宾,等.高压真空灭弧室电场设计的新方法[J].中国电机工程学报,2005,25(6):109‐112.
[6]石玉侠.真空灭弧室电场数值仿真及结构优化设计研究[D].沈阳:沈阳工业大学,2006.
[7]倪光正.工程电磁场原理[M].北京:高等教育出版社,2002:333‐334.
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