硅图形衬底中的G-line缺陷发光增强的研究

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• 论文作者：邱幸枝 ; 袁帅 ; 夏金松
• 年：2017
• 作者机构：武汉光电国家实验室华中科技大学;
• 会议召开时间：2017-05-25
• 会议录名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会会议论文集
• 语种：中文
• 分类号：TN304
• 学会代码：XMJS
• 会议名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会
• 会议地点：中国福建厦门
• 主办单位：厦门大学物理科学与技术学院、浙江大学硅材料国家重点实验室
• 学会名称：厦门大学物理科学与技术学院
• 页数：2
• 文件大小：661k
• 原文格式：D
• 会议级别：全国

摘要

硅是一种间接带隙半导体材料,这一特性使得硅基光源的发展受到极大的限制,人们为此做出了许多尝试,包括硅纳米晶,特殊材料的参杂和离子注入,拉曼效应,外延生长Ge Sn材料以及缺陷发光等。其中,晶体硅A-center缺陷中束缚电子和自由空穴进行无声子辅助直接带隙复合产生的G-line发光(1278nm)因其具有线宽宽窄发光效率高的特点而受到研究人员的关注。本文报道了在硅纳米小孔阵列中的G-line发光增强,并对其发光特性进行了表征。本实验结果为硅基发光增强提供了一种新思路。

引文