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低能离子注入植物种子中浓度—深度分布的研究
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摘要
自1986年余增亮等人率先开展重离子注入水稻诱变育种研究以来,离子束生物技术在植物、微生物诱变育种方面的研究已经取得应用性成果,并且带来了很好的经济效益。但离子束注入生物材料相互作用机制的研究仍然不明了,尚需进一步的研究。而要解决这种机理性问题,首先需要知道注入离子的准确位置或分布情况。
     本文就是针对离子注入植物种子中分布情况展开研究的。全文共分四章。第一章介绍了离子束生物技术目前国内外研究的现状、离子束注入生物材料相互作用机制研究进展、离子束生物技术对农作物、微生物等诱变育种的研究及离子束生物效应等。由于植物种子内的特殊结构可能会加大离子注入植物种子的穿透深度,那么本文也对植物种子的结构进行了简要的叙述。第二章依据生物体中存在空隙或微小孔洞,提出一个简化模型。这些微小的孔洞具有一定的长度和宽度,不同生物体微孔的长、宽各异。在本文中把这些微孔或洞近似为圆柱体并命名为沟道,当离子注入生物体中时这些微孔或洞就会形成沟道,这提供了一个便于计算也较接近客观实际的生物靶模型。第三章考虑到沟道对投影射程的影响,本文利用LSS理论(由Lindhard,scharff及schiott三人确立的注入离子在固体中分布理论)对200key的V~+注入花生种子中的投影射程进行了计算,同时用统计的方法对注入花生中V~+的浓度分布进行了数学拟合。第四章对理论结果进行总结,导出离子在花生中的平均投影射程为5.30μm,这与陆挺、王超等人的实验结果相差不大,而且发现注入的V~+在花生中浓度—深度分布近似遵循冈伯尔分布。
Since Yu. Z. L et al initially developed a study on mutation breeding of heavy ionimplanted in rice in the 1986, Ion Beam Biotechnology has already made importantachievementes and brought better economic profits. But the mechanism of interaction ofions implanted in bio-materials is still not well known. It should be further studied. Atfirst, the distribution and precise location of ions implanted into bio-material should bediscussed.
     In this paper the study of distribution of ion beams implanted in plant seeds wasdeveloped. The thesis includes four chapters. The chapter one summarized the presentstatus of domestic and foreign studies on the ion-beam-engineering, the progress ofinteractive mechanism of ions implanted in bio-materials and the study of mutationbreeding of Ion Beam Bio-technology in crop seeds and microbes. Since the specialstructure of plant seeds could make the penetration depth much larger as ion beamsimplanted, we gave a brief introduction on the structure of plant seeds in this chapter.
     In chapter two, based on the fact that the plant seeds have many small gaps or holes,we proposed a simplified model. Many small holes have different length and width,they are not homogeneous in biological samples. They were thought of cylinders, namedchannels, in this paper. These small holes could cause channel phenomenon, enlargingpenetration range of low energy ion beam implantated into plant seeds.
     In chapter three, considering the implantation depth influenced by channels, wecalculated the implantation depth by use of LSS theory. AssumingV~+ implanted inpeanut seed embryoes with 200kev, the projective penetration depth was calculated. Theconcentration distribution of V~+ implanted in peanut embryoes was fitted with statisticalmodels.
     In chapter four, the calculation results are outlined. We obtained the averagepenetration depth 5.32μm for V~+ implantation into peanut seed embryoes, in consistentwith experimental data. Simultaneously we found that the concentration distribution of V~+ions in seed embryoes approximately obeys Gumbel distribution.
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