热屏和后继加热器对生长φ300mm硅单晶热场影响的数值分析

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• 出版年：2007
• 作者：高宇；周旗钢；戴小林；肖清华
• 单位1：北京有色金属研究总院
• 单位2：有研半导体材料股份有限公司
• 出生年：1981
• 学历：硕士研究生
• 语种：中文
• 作者关键词：模拟；直径300mm硅单晶；热屏；后继加热器
• 起始页：832
• 总页数：6
• 经费资助：科技部国际合作重点项目(No. 2005DFA51050)
• 刊名：人工晶体学报
• 是否内版：否
• 刊频：双月刊
• 主办单位：中国硅酸盐学会；晶体生长与材料专业委员会；中材人工晶体研究院
• 主编：余明清
• 卷：36
• 期：4
• 期刊索取号：P311.06105
• 核心期刊：中文核心期刊

摘要

本文采用有限体积元法软件CrysVUn对直拉法生长直径300mm硅单晶热场和热应力分布进行了模拟。后继加热器通过补充晶体径向的热散失，使得沿生长界面径向的由熔体向晶体的热输运实现平衡，使晶体生长界面更加平坦。随着热屏材料热辐射率的降低，晶体生长界面趋于平坦，生长界面上方热应力水平也随着热屏材料辐射率的减小而下降，使用内层高辐射率材料、外层低辐射率材料的复合式热屏结构进一步降低了晶体生长界面中心高度。