磁控溅射制备银掺杂ZnO薄膜结构及光电性质研究

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• 出版年：2010
• 作者：段理；樊小勇；于晓晨；倪磊
• 单位1：长安大学材料科学与工程学院
• 单位2：长安大学高性能路面国际合作研究中心
• 出生年：1979
• 学历：博士
• 职称：讲师
• 语种：中文
• 作者关键词：溅射；银掺杂；P型ZnO薄膜；光电性能
• 起始页：13
• 总页数：4
• 经费资助：国家自然科学基金（20903016）
• 刊名：材料导报
• 是否内版：否
• 刊频：半月刊
• 创刊时间：1987
• 主管单位：重庆西南信息有限公司（原科技部西南信息中心）
• 主办单位：重庆西南信息有限公司
• 主编：张明
• 地址：重庆市渝北区洪湖西路18号
• 邮编：401121
• 电子信箱：mat-rev@163.com；matreved@163.com；maeditor@gmail.com
• 网址：http://www.mat-rev.com
• 卷：24
• 期：24
• 期刊索取号：P822.06 432
• 数据库收录：中文核心期刊；中国科学引文数据库来源期刊；中国科技论文统计源期刊
• 核心期刊：中文核心期刊

摘要

利用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了银掺杂ZnO薄膜，通过改变制备条件生长了一系列样品，样品退火后呈现p型导电特性。测量了样品的结构特性、光学性质和电学性质，实验表明薄膜厚度与淀积时间、溅射功率分别呈近似线性关系；薄膜晶体质量随溅射功率、背景气压的增加而降低；退火过程是银元素形成受主的重要环节，且退火能有效提高薄膜晶体质量，改善薄膜的光学性质和电学性质。分析了这些影响的机理和来源。