ZnO纳米线阵列膜的自组装生长及其金属接触特性

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• 出版年：2010
• 作者：贺永宁；张雯；崔吾元；崔万照；张瑞智；徐友龙
• 单位1：西安交通大学电子与信息工程学院，
• 出生年：1971
• 学历：博士
• 职称：副教授
• 语种：中文
• 作者关键词：氧化锌纳米线；自组装生长；金属-半导体接触
• 起始页：17
• 总页数：4
• 经费资助：国家自然科学基金（60876038）；空间微波技术国家重点实验室基金（9140C5304020804）资助项目
• 刊名：硅酸盐学报
• 是否内版：否
• 刊频：月刊
• 创刊时间：1957
• 主管单位：中国科学技术协会
• 主办单位：中国硅酸盐学会
• 主编：黄勇
• 地址：北京海淀区三里河路11号
• 邮编：100831
• 电子信箱：jccsoc@vip.163.com；jccsoc@sina.com
• 网址：http://www.jccsoc.com；http://www.ceramsoc.com；http://gsyxb.periodicals.net.cn；http://gxyb.chinajournal.net.cn
• 卷：38
• 期：1
• 期刊索取号：P872.066 591
• 数据库收录：Ei核心期刊；CA，SA，РЖ收录期刊
• 核心期刊：Ei核心期刊

摘要

以磁控溅射制备的ZnO纳米晶薄膜作为籽晶层，用水热法在80℃氧化铟锡（indium tin oxide，ITO）玻璃衬底上，实现了大面积ZnO纳米线阵列膜的取向生长，制备了3种金属-半导体-金属（metal-semiconductor-metal，MSM）结构的ZnO半导体纳米线阵列膜样品，测试了薄膜样品的光学特性和I--V特性。结果表明：在相同的生长液浓度下，籽晶层对所生长的纳米线尺度分布有显著影响。所制备的纳米线薄膜在室温下具有显著的紫外带边发射特性。ZnO纳米线/Ag和ZnO纳米线/Al的金属-半导体接触均具有明显的Schottky接触特性，而ZnO纳米线/Au的金属-半导体接触具有明显Ohmic接触特性。