高温Cs激活GaAs光电阴极表面机理研究

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• 出版年：2010
• 作者：杨智；邹继军；牛军；张益军；常本康
• 单位1：南京理工大学电子工程与光电技术学院
• 出生年：1983
• 职称：博士研究生
• 语种：中文
• 作者关键词：GaAs光电阴极；偶极子；表面势垒；量子效率
• 起始页：2038
• 总页数：5
• 经费资助：国家自然科学基金项目（60678043，60801036）资助
• 刊名：光谱学与光谱分析
• 是否内版：否
• 刊频：月刊
• 创刊时间：1981
• 主管单位：中国科学技术协会
• 主办单位：中国光学学会
• 主编：黄本立
• 地址：北京市海淀区魏公村学院南路76号钢铁研究总院
• 邮编：100081
• 电子信箱：chngpxygpfx@vip.sina.com
• 网址：http://www.gpxygpfx.com
• 卷：30
• 期：8
• 期刊索取号：P342.80 220
• 数据库收录：物理类、化学类核心期刊
• 核心期刊：物理类、化学类核心期刊

摘要

研究了高温Cs激活过程中，GaAs光电阴极表面势垒的变化机理。在考虑GaAs材料体内负电性p型掺杂杂质与材料表面正电性Cs⁺所形成的偶极子对表面势垒的作用后，通过求解均匀掺杂阴极中电子所遵循的一维连续性方程，得到了反射式均匀掺杂阴极的量子效率公式，通过求解薛定谔方程得到了到达阴极表面的光电子的逸出概率公式，利用公式对GaAs光电阴极的Cs激活过程进行了分析。分析发现，激活过程中GaAs光电阴极的量子效率和光电子的逸出概率正比于偶极子层的电场强度。