双掺杂透明导电氧化物纳米线的制备与发光性能

详细信息   全文下载|推荐本文 |

• 出版年：2007
• 作者：肖海花；陈翌庆；徐亮；苏勇；朱黎昂；周庆涛
• 单位1：合肥工业大学材料科学与工程学院
• 出生年：1981
• 学历：硕士生
• 语种：中文
• 作者关键词：透明导电氧化物；双掺杂氧化物；光致发光
• 起始页：11
• 总页数：4
• 经费资助：安徽省自然科学基金资助项目（050440904）
• 刊名：合肥工业大学学报
• 是否内版：否
• 刊频：月刊
• 创刊时间：1956
• 主管单位：中华人民共和国教育部
• 主办单位：合肥工业大学
• 主编：杨伯源
• 地址：合肥市屯溪路193号
• 邮编：230009
• 电子信箱：hefe@chinajournal.net.cn；XBZK@hfut.edu.cn
• 卷：30
• 期：1
• 期刊索取号：P806.6 223
• 数据库收录：中国期刊方阵期刊；全国中文核心期刊；美国《化学文摘》(CA)；俄罗斯《文摘杂志》(AJ)；德国《数学文摘)》(ZBL MATH)；美国《剑桥科技文摘》(CSA)；中国科技论文统计分析数据库(CSTPCD)；中国科学引文数据库核心库(CSCD)；中国学术期刊综合评价数据库；《中国期刊方阵》；《中文核心期刊要目总览》；《中国期刊网》；《中国学术期刊（光盘版）》；《万方数据——数字化期刊群》；《中国核心期刊（遴选）数据库》
• 核心期刊：全国中文核心期刊；中国科学引文数据库核心库(CSCD)；《中文核心期刊要目总览》；《中国核心期刊（遴选）数据库》

摘要

文章以金属镓（Ga）、铟（In）和氧化亚锡（SnO）粉末作为前驱反应物，通过简单的热蒸方法成功制备出双掺杂的氧化物ⅠSG）（掺杂了In、Sn的Ga₂O₃）纳米线。样品的形貌、结构与成分的测定分别在场发射扫描电镜、X射线衍射谱仪、选区电子衍射、高分辨透射电镜以及X射线能量散射谱仪上进行，结果表明已合成的纳米线为掺杂In和Sn具有单斜晶结构的β-Ga₂O₃；还提出了用自催化气一液一固（VLS）生长机制来解释双掺杂氧化物ISGO纳米线的生长；提出了由于Sn和In成分的双掺杂，使得其发光峰的峰位明显红移、半高宽变宽。