硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
- 标准编号：GB/T 14146-2009
- 其他标准名称：Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method
- 标准类型：国家标准
- 发布日期：2009-10-30
- 实施日期：2010-06-01
- 标准分类：方法
- CCS：H80
- ICS：29.045
- 起草单位：南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心
- 起草人：马林宝、唐有青、刘培东、李静、金龙、吕立平
- 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管单位：国家标准化管理委员会
- 执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 标准状态：有效
- 页数：0
- 发布年份：2009
- 代替标准：GB/T 14146-1993,GB/T 14146-1993
- 部分代替标准：,
- 适用范围：本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容-电压测量方法。本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。本标准测试的硅外延层的厚度必须大于测试偏压下耗尽层的深度。本标准也可适用于硅抛光片的载流子浓度测量。
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