电弧离子镀AlN薄膜的光致发光性能的研究

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• 作者：邱万奇蔡明钟喜春余红雅刘仲武曾德长
• 会议时间：2010-12-01
• 关键词：电弧离子镀 ; AlN薄膜 ; 光致发光
• 作者单位：华南理工大学材料科学与工程学院,广东,广州,510640
• 母体文献：2010年全国低碳技术与材料产业发展研讨会论文集
• 会议名称：2010年全国低碳技术与材料产业发展研讨会
• 会议地点：广州
• 主办单位：广东省科协
• 语种：chi

摘要

在电弧离子镀弧靶前加挡板以去除大颗粒污染,分别在Si(100)基底上制备非掺杂的纯AlN薄膜,在石英玻璃基底上制备Cu掺杂的AlN薄膜.用X射线衍射(XRD)分析表明,纯AlN膜为弱(100)多晶织构,而掺Cu的AlN薄膜为非晶结构;X 射线光电子能谱(XPS)研究表明,Cu掺杂AlN薄膜中,Cu为+1价,原子百分含量为11%;光致发光谱显示纯AlN薄膜发紫光(~400 nm),Cu掺杂的AlN薄膜发蓝光(~450 nm).