Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜的电化学制备

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• 作者：卜路霞王为
• 会议时间：2005-09-01
• 关键词：Bi2Te3-ySey薄膜 ; 电沉积 ; 温差电材料 ; 电化学
• 作者单位：天津大学化工学院应用化学系,天津,300072
• 母体文献：2005'(贵阳)表面工程技术创新研讨会论文集
• 会议名称：2005(贵阳)表面工程技术创新研讨会
• 会议地点：贵阳
• 主办单位：中国电工技术学会
• 语种：chi

摘要

本文采用恒电位电沉积技术在金基体上沉积出Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜.采用SEM、EDS等方法,研究了电沉积Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜的组成及形貌.结果表明,在含有Bi3+、HTeO2+和Se4+的溶液中,采用控电位电沉积方法,可实现铋、碲、硒三元共沉积,制备出Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜.在沉积电位-0.01V下制备出的Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜组成为Bi2Te2.45Se0.85,薄膜结构致密.