一种S波段GaN高功率小型化功率放大器的设计
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- 英文论文题名：Miniaturization Design of S-Band High Power Ga N Power Amplifier
- 论文作者：杨雨林 ; 王志刚 ; 徐锐敏
- 英文论文作者：Yang Yu-Lin ; Wang Zhi-Gang ; Xu Rui-Min ; EE School of UESTC
- 年：2017
- 作者机构：电子科技大学电子工程学院;
- 论文关键词：S波段 ; 小型化 ; 高功率 ; 氮化镓
- 英文论文关键词：S-Band ; Miniaturization high-power GaN
- 会议召开时间：2017-05-08
- 会议录名称：2017年全国微波毫米波会议论文集（中册）
- 英文会议录名称：Proceedings of 2017 National Conference on Microwave and Millimeter Waves(NCMMW2017)
- 语种：中文
- 分类号：TN722.75
- 学会代码：ZDWB
- 会议名称：2017年全国微波毫米波会议
- 会议地点：中国浙江杭州
- 主办单位：中国电子学会
- 学会名称：中国电子学会微波分会
- 页数：4
- 文件大小：652k
- 原文格式：D
- 会议级别：全国
摘要
本文针对功率放大器小型化的需求,研究了S波段功率放大器小型化设计方案。功率放大器管芯采用Tri Quint公司的TGF2023-20,输入输出匹配均采用集总元件,以达到小型化目的。实现了2.7GHz-3.2GHz Ga N HEMT小型化功率放大器,版图面积20mm*20mm。仿真结果表明,该功率放大器在漏极电压28V,栅极电压-3.6V下实现了60W的输出功率,8d B的增益和近50%的功率附加效率。
In this paper, aiming at the demand of the power amplifier miniaturization, we studied the miniaturization of S-band power amplifier design. Power amplifier HEMT is used with Tri Quint TGF2023-20. Input and output matching adopt lumped components, in order to achieve miniaturization purpose. A 2.7 GHz to 3.2 GHz Ga N HEMT miniaturization PA design is achieved, with the landscape area: 20 mm * 20 mm. The simulation and measurement results show that the power amplifier achieved 60 w power output, 8 db gain and nearly 50% of the power added efficiency, in the condition of drain voltage 28 V, and the grid voltage-3.6 V
In this paper, aiming at the demand of the power amplifier miniaturization, we studied the miniaturization of S-band power amplifier design. Power amplifier HEMT is used with Tri Quint TGF2023-20. Input and output matching adopt lumped components, in order to achieve miniaturization purpose. A 2.7 GHz to 3.2 GHz Ga N HEMT miniaturization PA design is achieved, with the landscape area: 20 mm * 20 mm. The simulation and measurement results show that the power amplifier achieved 60 w power output, 8 db gain and nearly 50% of the power added efficiency, in the condition of drain voltage 28 V, and the grid voltage-3.6 V
引文
1?mer Cengiz,?zgür Kelek?i,Ar'Can G O,et al.Design of high power S-band Ga N MMIC power amplifiers for Wi MAX applications[C]//General Assembly and Scientific Symposium,2011 XXXth URSI.IEEE,2011:1-4.
2 余振坤,刘登宝.S波段宽带Ga N芯片高功率放大器的应用研究[J].微波学报,2011,27(2):68-71.
3 Kosaka N,Uchida H,Noto H,et al.An S-Band Ga N on Si High Power Amplifier with 170 W Output Power and 70%Drain Efficiency[C]//Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.IEEE,2012:1-4.
4 张玉兴,赵宏飞译.射频与微波功率放大器设计.电子工业出版社.2006.
5 余振坤,刘登宝.S波段宽带Ga N芯片高功率放大器的应用研究[J].微波学报,2011,27(2):68-71.
6 来继承,何杰,孙晨皓,等.基于Ga N器件应用于3G/4G的高效率功率放大器设计[C]//全国微波毫米波会议.2015.
7 裴晨.高效率S波段Ga N线性功率放大器的设计与实现[D].南京理工大学,2013.
8 欧荣德,徐跃杭,国云川,等.S波段高效率内匹配功率放大器设计[C]//全国军事微波技术暨太赫兹技术学术会议.2014.
2 余振坤,刘登宝.S波段宽带Ga N芯片高功率放大器的应用研究[J].微波学报,2011,27(2):68-71.
3 Kosaka N,Uchida H,Noto H,et al.An S-Band Ga N on Si High Power Amplifier with 170 W Output Power and 70%Drain Efficiency[C]//Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.IEEE,2012:1-4.
4 张玉兴,赵宏飞译.射频与微波功率放大器设计.电子工业出版社.2006.
5 余振坤,刘登宝.S波段宽带Ga N芯片高功率放大器的应用研究[J].微波学报,2011,27(2):68-71.
6 来继承,何杰,孙晨皓,等.基于Ga N器件应用于3G/4G的高效率功率放大器设计[C]//全国微波毫米波会议.2015.
7 裴晨.高效率S波段Ga N线性功率放大器的设计与实现[D].南京理工大学,2013.
8 欧荣德,徐跃杭,国云川,等.S波段高效率内匹配功率放大器设计[C]//全国军事微波技术暨太赫兹技术学术会议.2014.
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